Científicos de la Universidad Nacional de Yokohama en Japón han desarrollado el primer láser a escala nanométrica que posee una alta eficiencia a temperatura ambiente. El dispositivo desarrollado produce emisión láser en el rango espectral del infrarrojo cercano de manera continua y estable. El dispositivo en sí posee una longitud de algunas micras mientras que la parte del dispositivo que produce la emisión láser tiene unas dimensiones de algunos nanómetros de escala en todas sus direcciones. La potencia de este dispositivo láser sólo es de algunos microvatios, una de las más pequeñas que se han conseguido hasta el momento. El futuro de este nanoláser podría estar en su utilización en circuitos miniaturizados con dispositivos ópticos acoplados. El trabajo presentado por estos investigadores ha sido publicado en el último número de la revista "Optics Express".
El dispositivo láser está fabricado a partir de un semiconductor cuaternario como es el GaInAsP. Como hemos comentado, este dispositivo trabaja en emisión continua de luz, en vez de en emisión pulsada, lo cual supone un nuevo hito en esta clase de dispositivos ya que es más complicado de conseguir debido a que el consumo de energía por parte del dispositivo es mayor y por ende presenta problemas en la disipación del calor. De acuerdo a las informaciones facilitadas por los responsables del proyecto, este nanoláser podrá operar en dos modos dependiendo del conocido factor "Q".
28 de Marzo de 2007
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8 de Abril de 2007
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